布里斯托大学的研究人员成功地证明了一种新材料的高导热性,为更安全,更高效的电子设备(包括手机,雷达甚至电动汽车)铺平了道路。

由设备热成像和可靠性中心(CDTR)[MK1]的Martin Kuball教授领导的小组 发现,通过制造超纯氮化硼,可以首次展示其导热潜力, 550W / mk的功率是铜的两倍。

这篇论文:通过受控的硼同位素浓度调节六方氮化硼中的热导率今天发表在《通信物理学》上。

Kuball教授解释说:“大多数半导体电子产品在使用时都会发热。它们变得越热,它们降解的速度就越大,并且性能下降。随着我们越来越依赖我们的电子设备,寻找具有高导热性并可以提取废热的材料变得越来越重要。

“氮化硼是一种这样的材料,据预测其导热率为550 W / mK,是铜的两倍。但是,迄今为止的所有测量似乎都表明其热导率要低得多。令人兴奋的是,通过将这种材料制成“超纯”材料,我们能够首次证明其具有很高的导热系数。”

库伯尔教授说,下一步是开始用氮化硼制造有源电子设备,并将其与其他半导体材料集成在一起。

“在展示超纯氮化硼的潜力时,我们现在拥有一种可在不久的将来用于制造高性能,高能效电子产品的材料。”

“这项发现的意义重大。当然,随着对手机的使用以及对电动汽车的采用,我们对电子产品的依赖只会增加。使用氮化硼等更高效的材料来满足这些需求,将导致性能更高的手机通信网络,更安全的运输以及最终更少的发电站。”